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集成电路学院第九期IC研究论坛顺利举办

发布日期:2025-12-04来源:集成电路学院 文图:李浙 审核:糜海燕

12月3日下午,集成电路学院IC学术系列论坛——研究论坛第九期活动在学院A116报告厅举行。本次论坛邀请了肖少庆教授团队博士生吴倩倩和研究生高远进行学术分享,学院百余名研究生参会学习并展开交流。

吴倩倩围绕《基于MoS2的等离激元复合结构的光电器件研究》主题展开分享,其研究针对二维材料光吸收率低、光谱探测范围窄的学术难点,创新性地将具有局域表面等离激元共振效应的半金属亚氧化钨纳米颗粒与二维材料耦合,通过AAO模板与温和氢气等离子体处理工艺,成功制备了均匀、可控的WO₃₋ₓ纳米颗粒阵列,LSPR峰可拓宽至近红外波段。在将其与MoS₂及MoS₂/WSe₂异质结集成后,器件在可见光至近红外波段的光电流、光响应度与响应速度均得到数量级提升。MoS₂/WSe₂/WO₃₋ₓ复合结构展现出最优异的综合性能,实现了7.5 μs的超快响应和近两个数量级的光电流增强。该项研究为开发高性能、宽谱、超快二维光电探测器提供了一种低成本的等离子体增强新策略。

高远以《低费米钉扎MoTe₂同质结的图案化相变与光电调控》为报告主题,分享了针对二维材料光电探测器存在费米钉扎、接触电阻高、异质结界面缺陷及响应度与响应速度矛盾等学术难点开展的系列创新研究。他提出底部内嵌电极工艺避免直接蒸镀损伤,从而解决费米钉扎问题;开发光刻-等离子体相变、CVD相控生长两种图案化相变方法,用多种方法构建1T'-2H-1T'同质结、横向光栅型及斑马纹型等器件,精准调控相变区域构造相控异质结。研究结果表明,器件接触电阻降低3-4个数量级,输出电流提升近4个数量级;光响应度较本征材料提升25倍,斑马纹器件响应速度提升5个数量级且实现自驱动,全区域相变异质结展现最佳响应度,电极相变器件响应速度更优。其研究成果为二维材料光电探测器性能调控提供了新路径,器件可应用于光通信、光成像等领域。

论坛现场

吴倩倩分享

高远分享