个人简介

1.个人简介

闫大为，博士，1981年12月生，山东枣庄人，电子工程系副教授，硕士生导师，IEEE Member。2011年毕业于南京大学电子科学与工程系获博士学位，美国范德堡大学电子工程系访问学者。主要研究方向为功率芯片和应用模块的设计、可靠性与失效测试分析，以及电学和光电检测设备的硬件系统和软件的开发等。以第一或责任作者已发表科技SCI论文26篇，包括微电子器件领域顶级SCI期刊IEEE Electronic Device letters，IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE Photonics Technology Letters, Applied Physics Letters等，被引500余次；主要建设了江南大学功率芯片和应用模块实验室，搭建了完备的半导体器件测试系统，并与多家知名半导体企事业单位建立了良好的合作关系；主持了多项纵向和横向课题，任多家主流SCI期刊评审人，包括APL, EDL,TED, PTL和JAP等；

代表性论文

[1]. Linna Zhao, Dawei Yan*, Zihui Zhang, Bin Hua, Guofeng Yang, Yanrong Cao, Enxia Zhang, Daniel M Fleetwood,Temperature-Dependent Efficiency Droop in GaN-Based Blue LEDs, IEEE Electron Device Letters,39(4), 528-531, 2018.

[2]. Linna Zhao, Leilei Chen, Dawei Yan*, Guofeng Yang, Xiaofeng Gu, Bin Liu, and Hai Lu, Tunneling-hopping transport model for reverse leakage current in InGaN/GaN blue light-emitting diodes, IEEE Photonics Technology Letters, 29(17),1447-1450, 2017.

[3]. Leilei Chen, Ning Jin, Dawei Yan*, Yanrong Cao, Linna Zhao, Hailian Liang, Bin Liu, Enxia Zhang, Xiaofeng Gu, Ronald D. Schrimpf, and Hai Lu, Charge Transport in vertical GaN Schottky Barrier Diodes: A Refined Physical model for Conductive Dislocations, IEEE Transactions on Electron Devices, 2020 67(3): 841-846.

[4]. Dawei Yan, Hai Lu*, Dunjun Chen, Rong Zhang, and Youdou Zheng, Forward tunneling current in GaN-based blue light-emitting diodes,Appl. Phys. Lett.96, 083504, 2010.

[5]. Dawei Yan, Hai Lu*, Dongsheng Cao, Dunjun Chen, Rong Zhang, and Youdou Zheng, On the reverse gate leakage current of AlGaN/GaN high electron mobility transistors,Appl. Phys. Lett.97, 153503, 2010.

[6]. Jian Ren, Wenjie Mou, Linna Zhao, Dawei Yan*, Zhiguo Yu, Guofeng Yang, Shaoqing Xiao, and Xiaofeng Gu, A comprehensive study of reverse current degradation mechanisms in Au/Ni/n-GaN Schottky diodes,IEEE Transactions on Electron Devices, 2017 64(2): 407-411.

[7]. Dawei Yan, Jian Ren, Guofeng Yang, Shaoqing Xiao, XiaofengGu*, and Hai Lu*, Surface acceptor-like trap model for gate leakage current degradation in lattice-matched InAlN/GaN HEMTs,IEEE Electron Device Letters, 2015 36(12): 1281-1283.

[8]. Jian Ren, Dawei Yan*, Guofeng Yang, Fuxue Wang, Shaoqing Xiao, and XiaofengGu, Current transport mechanisms in lattice-matched InAlN/GaNSchottky diodes,Journal of Applied Physics, 117,154503,2015.

[9]. Dawei Yan, Jinping Jiao, Jian Ren, Guofeng Yang, and XiaofengGu*, Forward current transport mechanisms in Ni/Au-AlGaN/GaNSchottky diodes,Journal of Applied Physics, 114, 144511, 2013.

[10]. Dawei Yan, Hai Lu*, Dunjun Chen, Rong Zhang, and Youdou Zheng, Distribution of deep-level traps at atomic-layer-deposited Al2O3/n-GaN interface,Solid-State Electronics, 72, 56, 2012.

2.研究生教育

硕士生

学术型研究生招生专业：电子科学与技术

专业型研究生招生专业：集成电路工程

3.联系方式

通信地址：江苏省无锡市江阴市府前路299号江南大学霞客湾校区集成电路学院

邮编：214401

Email:daweiyan@jiangnan.edu.cn

主要研究方向

功率与IC芯片的可靠性与失效分析

功率芯片和应用模块的设计

电学和光电检测设备的硬件系统和软件的开发

学习、工作经历

2011年毕业于南京大学电子科学与工程系获工学博士学位，

2013年南京大学现代工程与应用科学学院博士后，

2018年美国范德堡大学电子工程系访问学者。

2011年7月入职江南大学电子工程系，任校聘副教授；

2015年9月晋升副教授职称。

科学研究

主要研究方向为功率芯片和应用模块的设计、可靠性与失效测试分析，以及电学和光电检测设备的硬件系统和软件的开发等；分别获得了国家自然科学基金青年项目，江苏省自然基金青年项目和中国博士后面上项目（一等）等纵向课题资助；同时，与本地多家上市半导体公司以及研究型事业单位建立了良好的合作关系，具有多项横向课题；以第一或责任作者发表科技SCI论文30多篇，包括微电子器件领域顶级SCI期刊8篇，主要发表在IEEE Electronic Device letters，IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE Photonics Technology Letters和 Applied Physics Letters上，被引500余次，授权发明专利4项。

学术兼职及荣誉

任十几家主流SCI期刊评审人，包括APL, EDL,TED, PTL和JAP等

教育教学

本科生课程：半导体器件物理、电工学、固体物理

研究生课程：微电子导论与进展，现代半导体器件物理

招生专业

硕士：电子科学与技术（080900） 、集成电路工程（085403）