4月23日下午，集成电路学院IC学术系列论坛——科技论坛第十期在A116 报告厅顺利开展。此次讲座邀请了江苏微导纳米科技股份有限公司副董事长兼CTO黎微明博士担任主讲嘉宾，院长顾晓峰教授主持，学院教师和本硕学生共同参与聆听交流。

黎微明以“原子层沉积技术助力先进半导体器件变革”为主题展开。他首先从 ALD 技术的发展历史讲起，据悉，原子层沉积(ALD)技术是一种自限制反应沉积技术，通过控制反应条件可以沉积多种薄膜或金属催化剂，并对膜厚或金属催化剂负载量进行精确调控。这项技术发展可追溯至20 世纪 60 年代，前苏联科学家率先开展相关研究，后经研究者们不断深入研究开发，从最初的分子层沉积、原子层外延，逐步演变为如今通用的“原子层沉积”。接着，黎微明深入剖析了ALD 技术的原理与特点，介绍了ALD 技术具备保形性极佳、成膜质量高及可通过三明治、异质结构、纳米层压材料等形式，定制出多种材料特性，为材料科学领域开拓出众多新的可能等诸多优势。其后，黎微明详细介绍了ALD 反应条件及主要影响因素包括前驱体的选择、反应温度、压力以及 ALD “工艺窗口” 等。他还具体讲解了ALD 设备的分类，使在场听众对ALD 技术的实际操作有了更清晰的认识。

本次讲座带领在场师生深刻认识了不断创新的ALD 工艺和材料对逻辑器件、存储器件、3D 闪存器件等半导体相关领域产生的强大推动力及该技术为未来相关产业发展蕴藏的巨大潜力，开拓了参会师生学术视野，启迪相关研究灵感和思路。互动环节中，师生与嘉宾围绕主题积极探讨交流，现场学术氛围浓郁。

黎微明博士担任主讲嘉宾

师生与嘉宾探讨交流（一）

师生与嘉宾探讨交流（二）

论坛现场