尊敬的专家学者：

2025年先进半导体器件与集成技术国际学术会议将于2025年9月19-21日在中国江苏无锡举办。本次会议旨在汇聚全球半导体领域的顶尖学者、行业专家和企业领袖，共同探讨最新的研究成果和技术进展。会议将涵盖先进半导体器件的设计、制造、材料及其在各类应用中的创新，包括人工智能、量子计算和5G通信等前沿科技。与会者将有机会参加主题演讲、专题讨论和技术展示，深入了解行业动态，分享前沿经验。

我们诚邀全球的专家学者参与此次盛会，共同推动半导体技术的进步与发展。期待与您相聚无锡，共同探索未来科技的无限可能！

一、会议官网：www.asdit.org

二、会议时间：2025年9月19-21日

三、会议地点：中国·无锡

四、会议组织单位

主办单位：江南大学

协办单位：江南大学集成电路学院、江南大学理学院、无锡市第三代半导体器件与集成技术重点实验室、研微（江苏）半导体科技有限公司

支持单位：无锡市集成电路学会

五、会议组委

大会主席

敖金平教授，江南大学

顾晓峰教授，江南大学

杨国锋教授，江南大学

技术程序委员会主席

余建军教授，复旦大学

徐骏教授，南通大学

刘学峰教授，南京理工大学

顾文华教授，南京理工大学

李杨副教授，江南大学

出版主席

姜岩峰教授，江南大学

刘璋成副教授，江南大学

陈辉副教授，南京航空航天大学

寇君龙副教授，南京大学

当地委员会主席

王霄副教授，江南大学

林兴董事长，研微（江苏）半导体科技有限公司

六、会议研讨主题

1、半导体器件

新型半导体材料及其在器件中的应用、高性能MOSFET设计与优化、能耗效率优化的功率器件技术、超越硅的III-V族化合物半导体器件、微光电半导体传感器及其应用、半导体激光器及其新兴应用领域、石墨烯和其他二维材料器件、量子点和量子阱半导体器件、新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM、低温电子器件的挑战与机遇、高频和高功率器件的突破性技术、硅基光电子器件及其集成技术、隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究、半导体器件的可靠性与老化机制、先进封装和互连结构对器件性能的影响；

2、集成技术

三维集成电路及其制造工艺、片上系统(SoC)与集成方法、芯片异构集成技术、封装级集成技术的发展与创新、集成电路中的热管理技术、射频集成电路及其设计优化、人工智能与机器学习在集成电路设计中的应用、先进模拟与混合信号集成电路、电源管理集成电路技术、集成电路设计中的可靠性与安全挑战、硅光子学互连技术、超大规模集成技术的最新进展、新兴存储器集成技术、模块化MEMS与NEMS的集成应用、智能传感系统的集成与创新。

七、会议出版

本会议所有的投稿都必须经过2-3位组委会专家审稿，经过严格的审稿之后，最终所录用的论文将论文集形式递交至IEEE(ISBN:979-8-3315-9671-2)出版，见刊后由出版社整理提交至IEEE Xplore、EI Compendex、Scopus检索。

八、会议征稿报名信息及注册费用

(1) 投稿参会链接

报名参会链接：https://www.ais.cn/attendees/toSignUp/IAJ2YF?invite=JNU

投稿注册网址：https://www.ais.cn/attendees/paperSubmit/IAJ2YF?invite=JNU

(2) 参会形式包含作者参会、口头报告、海报展示、听众参会。

(3) 参会费用标准:基础参会费用为1500元/人，团队参会费用为1200元/人（团队参会三人以上），交通住宿自理。

(4) 投稿基础版面费用3800元/篇（4页），超页费400元/页，投稿作者可免费参会。截止至7月29日前完成投稿并注册录用，可享早鸟价3400元/篇（4页）。

(5) 收费单位:会议委托广州科奥信息技术股份有限公司承办，并代收作者的会议注册费并开具发票。（单位名称：广州科奥信息技术股份有限公司；开户行：中国工商银行广州育蕾街支行；银行账号：3602879819100299208）

九、会议议程（以下日程为暂定计划，最终版后续更新）

十、会议秘书

严老师：电话/微信：18124945342；邮箱：yanxiangru@ais.cn

2025年先进半导体器件与集成技术国际学术会议（ASDIT 2025）

AEIC学术交流中心（代章）

2025年2月11日